CM100DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 100A 50kHz (NFH-Series)

Макс.напр.к-э,В 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 60
Входная емкость затвора,нФ 16
Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA513
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 560
Максимальный ток эмиттера, А 200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 5
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 100
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor

Обратная связь

Отправьте нам сообщение.