CM100DY-12H, 2 IGBT 600V 100A 3-gen (H-Series)
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.1 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 10 |
| Мощность привода, кВт | - |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2.15 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
| Производитель | Mitsubishi Electric Semiconductor |
Обратная связь
Отправьте нам сообщение.