CM200DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 200A 50kHz (NFH-Series)

CM200DU-24NFH, 2 IGBT 1200V 200A 50kHz (NFH-Series)
Макс.напр.к-э,В 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 60
Входная емкость затвора,нФ 32
Мощность привода, кВт -
Драйвер управления VLA500
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 830
Максимальный ток эмиттера, А 400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 5
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 80
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor

Обратная связь

Отправьте нам сообщение.